Semiconducteurs discrets et de puissance

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NOUVEAUX PRODUITS

Groupe de produit : Semiconducteurs discrets et de puissance

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	Circuits driver de LED (15/10/2008) Fournis en boîtiers TSOT23-5 ou DFN6 à caractéristiques thermiques étendues, les circuits ZXLD-1352, 1356 et 1366 délivrent respectivement des courants de sortie ajustables de 350 mA, 550 mA et 1 A et conviennent à une grande vari... Lire l'article
	Circuits intégrés 600 V (23/09/2008) Conformes à la norme AEC-Q100, les drivers de MOSFET et d'IGBT rapides AUIRS2123S et AUIRS2124S présentent une plage d'alimentation de commande de grille allant de 10 à 20 V. Ces circuits disposent d'un étage de sortie à fort cour... Lire l'article
	MOSFET durcis aux radiations (31/08/2008) Les MOSFET 60, 100 et 250 V RAD-Hard sont destinés aux alimentations à découpage, à la distribution de puissance dans les satellites et aux convertisseurs de puissance à résonance pour applications à haute fiabilité. Comparés aux ... Lire l'article
	Amplificateurs MOSFET (31/08/2008) Destinés à être utilisés dans l'étage amplificateur de puissance des équipements portables sans fil, les composants MOSFET de puissance haute fréquence RQA0010 et RQA0014 amplifient la sortie haute fréquence à un niveau stipulé et... Lire l'article
	Circuit intégré 600V triphasé (27/07/2008) Destiné aux applications de commande de moteur basse, moyenne et haute tension, l’IRS26310DJPbF intègre des étages de commande de grille de transistors de puissance MOSFET et IGBT avec trois canaux de sortie côté haut et autant cô... Lire l'article
	Régulateur à découpage (27/07/2008) Dotés d'un contrôle très précis côté primaire, les circuits LinkSwitch-II simplifient la conception des convertisseurs à tension constante ou à courant constant, et permettent aux utilisateurs d'adapter leurs produits aux réglemen... Lire l'article
	Transistors IGBT 600 V (15/06/2008) Optimisée pour fonctionner à 20 kHz avec de faibles contraintes de court-circuit, la famille d'IGBT (transistors bipolaires à grille isolée ; insulated gate bipolar transistors) 600 V IRGB40xxDPbF assure une conversion de puissanc... Lire l'article
	Transistors IGBT1200 V (08/06/2008) Alliant une structure à champ limité et une technologie de grille en tranchée résistant aux avalanches, les IGBT FGA20N120FTD et FGA15N120FTD assurent un compromis optimal entre les pertes de conduction et de commutation et consti... Lire l'article
	Transistor MOSFET (13/05/2008) Avec une empreinte réduite de 50 % sur la carte électronique par rapport aux composants encapsulés dans le boîtier standard industriel SOT23 et une hauteur sur la carte de seulement 0,85 mm, le transistor MOSFET ZXMN2F34MA s'adapt... Lire l'article
	Modules de puissance (13/05/2008) Dotés de puces IGBT ultra rapides, les modules de puissance série L1 ont été conçus pour optimiser les pertes en commutation et en conduction, tout en assurant une bonne protection contre les interférences électromagnétiques. Ils ... Lire l'article
	Circuit de puissance (13/05/2008) Optimisé pour les convertisseurs abaisseurs synchrones multiphases à fort courant utilisés dans les systèmes de traitement informatique, de communication et de jeu, le circuit iP2005A s'avère 40 % plus petit que le modèle de la gé... Lire l'article
	Transistor MOSFET 40 V (06/04/2008) Le FDD4141 est un transistor MOSFET P-canal PowerTrench 40 V qui a une résistance Rds(on) faible et une charge de grille abaissée de 50 % par rapport à la génération actuelle des MOSFET. Ces caratéristiques permettent aux applicat... Lire l'article
	Transistors MOSFET (15/03/2008) Destinés aux convertisseurs DC-DC synchrones, les MOSFET TPCA8012-H et TPCA8019-H à canal N enrichissent la série Toshiba UMOS V-H avec un courant de drain plus élevé. Ils sont présentés dans des boîtiers SOP avec des dimensions d... Lire l'article
	Régulateur continu-continu (13/02/2008) Destinés aux télécommunications, à l'automobile et aux applications industrielles, le LM5015 offre une gamme de tension d'entrée ultra large, qui va de 4,25 à 75 V pour une fréquence maximum de commutation de 750 kHz. Par ailleurs... Lire l'article
	Brique de base compacte (13/02/2008) Optimisée pour les équipements à abaissement synchrone telles que les équipements télécoms et réseaux, l'iP1206 est le dernier-né de la gamme de blocs de conversion de puissance intégrés iPOWIR destinés aux applications biphasées ... Lire l'article
	Ecrêteurs de surtensions (12/02/2008) Conformes aux normes principales telles que GR-1089 Core, ITU K.20/K.21, IEC61000-4-5, FCC part 68, et UL60950, les thyristors SiBar assurent une protection bidirectionnelle rapide. Leurs principaux paramètres sont notamment les g... Lire l'article
	Filtres tripolaires (10/02/2008) Conçus pour filtrer les parasites électromagnétique émanant des circuits haute fréquence et pour empêcher la propagation du bruit haute fréquence le long des lignes d'alimentation, la gamme E07 de filtres tripolaires a connu une i... Lire l'article
	Circuit de commande (17/01/2008) Conçu pour les applications de zoom et d'autofocus, le circuit A3904 d’Allegro MicroSystems intègre une interface série I2C pour une programmation numérique à haute vitesse avec seulement deux fils de commande. Il fonctionne sur p... Lire l'article
	Drivers d'IGBT 600V (17/01/2008) Les circuits de commande de grille triphasés 600 V IRS2336xD disposent d'une fonction bootstrap pour le contrôle moteur dans les applications industrielles, dans le domaine de l'électroménager et des micro-variateurs, ainsi que po... Lire l'article
	Transistor IGBT d'allumage (13/01/2008) Le FGB3040CS diminue la dissipation d'énergie de 30 % et réduit la chaleur dans les applications automobiles en éliminant le recours à une résistance de détection de courant élevé. Grâce à sa capacité à détecter le courant, il rem... Lire l'article
	Modules intégrés FET (13/01/2008) Les FDMS9600S et FDMS9620S sont deux modules qui réduisent l’encombrement tout en permettant d'atteindre une meilleure efficacité de conversion dans les régulateurs abaisseurs synchrones. Chaque module de la série FDMS96xx associe... Lire l'article
	Driver à doubles canaux (13/01/2008) Offrant aux concepteurs de systèmes de commande automobile plus de fiabilité dans l'exécution du contrôle de solénoïdes, le FDMS2380 est un driver intelligent, à doubles canaux indépendants, intégrant des circuits de recirculation... Lire l'article
	Module de puissance (11/01/2008) Conçu spécialement pour le démarrage des moteurs à courant continu sans balais, le M81500FP permet d'importantes économies d'énergie tout en satisfaisant aux exigences spécifiques de l'industrie de l'électroménager. Il contient to... Lire l'article
	Circuits de commande PWM (10/01/2008) Destinés aux convertisseurs abaisseurs de proximité ou POL à courant moyen et élevé qui sont utilisés dans les systèmes réseaux informatiques et de communication, les IR3622MPbF et IR3622AMPbF peuvent être configurés pour générer ... Lire l'article
	Modules IGBT 1200 V (01/11/2007) Associant la technologie LPT (Light Punch Through) avec des puces CSTBT (carrier-stored trench bipolar transistor) de cinquième génération, la série NFM permet d'obtenir une fréquence de commutation rapide sans chute de tension im... Lire l'article

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