Semiconducteurs discrets et de puissance

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NOUVEAUX PRODUITS

Groupe de produit : Semiconducteurs discrets et de puissance
Sous-groupe de produit : Transistors (et MOSFETs)

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	MOSFET durcis aux radiations (31/08/2008) Les MOSFET 60, 100 et 250 V RAD-Hard sont destinés aux alimentations à découpage, à la distribution de puissance dans les satellites et aux convertisseurs de puissance à résonance pour applications à haute fiabilité. Comparés aux ... Lire l'article
	Amplificateurs MOSFET (31/08/2008) Destinés à être utilisés dans l'étage amplificateur de puissance des équipements portables sans fil, les composants MOSFET de puissance haute fréquence RQA0010 et RQA0014 amplifient la sortie haute fréquence à un niveau stipulé et... Lire l'article
	Transistors IGBT 600 V (15/06/2008) Optimisée pour fonctionner à 20 kHz avec de faibles contraintes de court-circuit, la famille d'IGBT (transistors bipolaires à grille isolée ; insulated gate bipolar transistors) 600 V IRGB40xxDPbF assure une conversion de puissanc... Lire l'article
	Transistors IGBT1200 V (08/06/2008) Alliant une structure à champ limité et une technologie de grille en tranchée résistant aux avalanches, les IGBT FGA20N120FTD et FGA15N120FTD assurent un compromis optimal entre les pertes de conduction et de commutation et consti... Lire l'article
	Transistor MOSFET (13/05/2008) Avec une empreinte réduite de 50 % sur la carte électronique par rapport aux composants encapsulés dans le boîtier standard industriel SOT23 et une hauteur sur la carte de seulement 0,85 mm, le transistor MOSFET ZXMN2F34MA s'adapt... Lire l'article
	Transistor MOSFET 40 V (06/04/2008) Le FDD4141 est un transistor MOSFET P-canal PowerTrench 40 V qui a une résistance Rds(on) faible et une charge de grille abaissée de 50 % par rapport à la génération actuelle des MOSFET. Ces caratéristiques permettent aux applicat... Lire l'article
	Transistors MOSFET (15/03/2008) Destinés aux convertisseurs DC-DC synchrones, les MOSFET TPCA8012-H et TPCA8019-H à canal N enrichissent la série Toshiba UMOS V-H avec un courant de drain plus élevé. Ils sont présentés dans des boîtiers SOP avec des dimensions d... Lire l'article
	MOSFET auto-protégés (01/06/2007) Derniers-nés dans la gamme des produits IntelliFET, les composants ZXMS6002G et ZXMS6003G sont des transistors canal N, 60 V, 500 mOhm bien adaptés à la commutation de charges sujettes à des courants ponctuellement élevés comme, p... Lire l'article
	Jeu de circuits MOSFET (01/06/2007) Fabriqués avec la technologie sur silicium MOSFET HEXFET, le FET de commande IRF6712S et le FET de synchronisation IRF6716M sont caractérisés par une inductance de boîtier, une résistance à l'état passant, une charge de grille et ... Lire l'article
	MOSFET ultra compacts (01/04/2007) Ces deux transistors MOSFET canal P petits signaux associent une fonction de commutation fort courant à une opération basse tension et à une résistance RDS(ON) faible, le tout dans un boîtier ultra compact. Ils répondent aux besoi... Lire l'article
	Circuits commande de MOSFET (01/04/2007) Capable de fonctionner avec des températures de jonction comprises entre -40 et +150 °C, cette famille de circuits d'Allegro Microsystems est destinée aux applications telles que l'essuyage, les pompes à eau, les ventilateurs, les... Lire l'article
	Circuit SmartRectifier (01/03/2007) Permettant d'utiliser des alimentations plus petites et chauffant moins, l'IR1166 est destiné aux convertisseurs de puissance AC-DC des ordinateurs portables, mini-PC, téléviseurs LCD et PDP, consoles de jeu, appareils audio Home ... Lire l'article
	MOSFET de puissance (01/02/2007) La famille de MOSFET de puissance µCool a été conçue pour répondre exclusivement aux défis uniques de gestion de puissance que posent les appareils portatifs, comme les circuits de charge d'accumulateurs lithium-ion, les circuits ... Lire l'article
	Des transistors miniaturisés optimisent le traitement de la puissance dans les applications basse tension (01/09/2006) Zetex Semiconductors annonce une gamme de transistors bipolaires basse tension qui étendent la capacité de traitement de la puissance du boîtier SOT23 et permettent ainsi aux concepteurs de réduire la taille de leurs applications ... Lire l'article
	IGBT compacts (01/09/2006) Conçus pour répondre aux besoins d'alimentation des écrans plasma, ces composants vont permettre aux concepteurs d'améliorer les performances et le rendement des alimentations en utilisant des IGBT plutôt que des MOSFET dans les c... Lire l'article
	Un coeur de driver "Plug and Play" pour tout type et toute marque de boîtier IGBT (01/06/2006) La nouvelle génération de driver IGBT Skyper fait appel au concept "moins c'est plus", avec un coeur de produit centré sur les seules fonctions absolument nécessaires au pilotage des modules IGBT. Ce coeur de driver, optimisé en t... Lire l'article
	MOSFET canal P haute tension (01/04/2006) Présentés dans des boîtiers miniatures SOT23 et SOT223, les MOSFET 200 V canal P permettent de réduire de façon significative la taille des conceptions "active clamp" qui étaient jusqu'ici obligées de faire appel à des MOSFET dans... Lire l'article
	Transistors de puissance (01/02/2006) Encapsulée en boîtier SOT23, cette série de transistors bipolaires va permettre de réduire de façon significative la taille des cartes électroniques tout en étant capable de gérer le même courant que les équivalents bien plus gran... Lire l'article
	Modules IGBT compacts (01/02/2006) Le SEMiX 13 est un module IGBT 6-pack qui étend la plateforme SEMiX vers les plus faibles puissances. Ses bornes de puissance sont prévues pour être raccordées soit directement sur un circuit imprimé, soit au moyen de câbles. Les ... Lire l'article
	MOSFET de puissance (01/11/2005) Utilisant une nouvelle structure à super jonction, le MOSFET de puissance DTMOS réduit la consommation due à la résistance à l'état passant (RDSON) à environ 40% de la valeur typiquement atteinte avec des MOSFET classiques. Le TK1... Lire l'article
	Toshiba annonce le premier transistor IEGT (01/09/2005) A l'occasion de PCIM, Toshiba Electronics Europe a annoncé le premier transistor IEGT (Injection Enhancement Gate Transistor) Press Pack 4,5 kV à grilles en tranchée. Ce nouveau module PPI va améliorer notablement les performances... Lire l'article
	MOSFET pour ampli audio (01/05/2005) Les paramètres du MOSFET DirectFET IRF6665 ont été optimisés pour de meilleures performances audio, en termes de rendement, de distorsion harmonique totale, ou THD (Total Harmonic Distortion), ou encore de densité de puissance. La... Lire l'article
	IGBT Co-Pack haute fréquence (01/04/2005) L'IRGP50B60PD est un transistor IGBT NPT 600 V encapsulé avec une diode HEXFRED 25 A capable de fonctionner à des fréquences de commutation allant jusqu'à 150 kHz. Il enrichit la famille WARP2 constituée d'IGBT et de diodes HEXFRE... Lire l'article
	MOSFET de redressement (01/04/2005) Destinés aux montages de redressement synchrone AC-DC et ORing, les MOSFET HEXFET 75 V et 100 V bénéficient d'une résistance à l'état passant très faible (RDS(on) de 7 mOhm pour l'IRFB4310 [100 V] et de 4,5 mOhm pour l'IRFB3207 [7... Lire l'article
	Transistors IGBT PowerMESH (01/04/2005) Cette série de transistors IGBT PowerMESH a été optimisée pour les applications de commande de moteurs d'appareils électroménagers, de correction du facteur de puissance et de chaleur par induction. La configuration brevetée de ce... Lire l'article

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